無錫電銷卡是什么

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iNAND?MC?EU551嵌入式閃存器件采用的是3D閃存技術。據(jù)了解，今年西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠開發(fā)出了第六代162層3D?NAND閃存技術，無錫電銷卡在每一個晶圓上的存儲位增加了70%，橫向的密度增加了10%，而在芯片尺寸上做到了減少40%。這樣帶來的效果是在每層的密度會提高，相應的每個比特的成本就會降低。這也是西部數(shù)據(jù)在3D閃存技術上引領市場重要原因之一。